1. 考试内容

(1)电子技术基础部分

主要包括二极管、三极管的结构、特性及主要参数;掌握饱和、放大、截止的基本概念和条件。晶体管放大电路的组成和工作原理。掌握图解分析法和等效模型分析法。掌握放大电路的三种组态及性能特点。电路的三种耦合方式及特点。反馈的基本概念：正、负反馈;电压、电流、串联、并联负反馈;掌握反馈类型和极性判断，引入负反馈对放大性能的影响。比例、加减、微积分线性运算电路。一般了解对数、指数运算电路的工作原理及一阶、二阶有源滤波器的电路组成、频率特性。了解产生自激振荡的条件。掌握电压比较器，用电压比较器组成的非正弦发生电路。掌握逻辑代数的基本公式、基本规则;逻辑代数的表示方法及相互转换。掌握各种门的逻辑符号、功能、特点、使用方法。正确理解TTL门和CMOS门电路的结构、工作原理。

(2)电磁场理论部分

主要考察考生对电磁理论基本内容的理解和掌握程度，以及灵活应用知识的能力。试卷命题对大纲内容有覆盖性和广泛性，题型主要包括概念题、计算题和证明推导题。应掌握的基本内容为：①矢量分析：三种常用坐标系内的梯度、散度和旋度的运算、几种重要矢量场的定义和性质;②静电场：库仑定律、电场与电场强度、高斯定律、静电场的环路定律、电位和电位差、电位的泊松方程和拉普拉斯方程、电偶极子、电介质中的静电场、静电场中的导体、电场能量与静电力;③恒定电场和电流：恒定电流场的基本定律、欧姆定律和焦耳定律、恒定电流场的边界条件、恒定电流场与静电场的类比;④恒定磁场：安培磁力定律和毕奥---沙伐定律、恒定磁场的基本定律、矢量磁位和标量磁位、磁偶极子、磁介质中恒定磁场基本定律、磁介质的边界条件;⑤静态场的边值问题：拉普拉斯方程的分离变量法、镜象法、有限差分法;⑥电磁感应：法拉第电磁感应定律、电感、磁场的能量;⑦时变电磁场：位移电流和推广的安培回路定律、麦克斯韦方程组、正弦电磁场、媒质的色散与损耗、坡印廷定理、电磁场的波动方程、标量位和矢量位、时变电磁场的边界条件;⑧平面电磁波：理想介质中的均匀平面电磁波、电磁波的极化、有耗媒质中的均匀平面电磁波、理想媒质界面上电磁波的反射和折射、全折射和全反射;⑨导行电磁波：矩形波导管中的电磁波、TE10模电磁波、波导中的能量传输与损耗、传输线上的TEM波、谐振腔;⑩电磁波辐射：赫芝偶极子辐射、磁偶极子天线的辐射、线天线、天线的方向性系数和增益。

(3)半导体物理部分

主要包含半导体中的电子状态;半导体中的电子状态和能带、电子的运动，本征半导体的导电机构、空穴，回旋共振，硅和锗的能带结构;半导体中的杂质和缺陷能级，硅、锗晶体中的杂质能级、缺陷、位错能级;半导体中载流子的统计分布、状态密度，费米能级、载流子浓度的计算，简并半导体;载流子的位移与扩散运动，载流子的散射、迁移率、电阻率、强场效应、热载流子、多能谷散射，耿氏效应;非平衡载流子的注入，复合寿命，费米能级，复合理论，陷阱效应，载流子的迁移运动，爱因斯坦关系，连续性方程;PN结的伏安特性，PN结电容，击穿;金属和半导体的接触的理论，少子的注入与欧姆接触;表面态，表面场效应，C-V特性，表面电场对PN结特性的影响;半导体的光学性质，光电性质，发光现象，半导体激光器;半导体的热电性质，温差电动势率，热电效应及其应用;半导体磁效应和压阻效应。

2. 考试要求

(1) 电子技术基础部分要求全部考生必做;

(2) 电磁场理论部分(A)要求报考02 电磁仿真与天线、03 毫米波太赫兹技术与系统方向考生必做;

(3) 半导体物理部分(B)要求报考04 微电子与集成电路方向考生必做;

(4) 报考其他方向考生可任选A或B。

3. 题型及分值安排

(1) 题型:简答题和计算题。简答题包含概念题和重要数学公式及其物理意义，计算题包含数学模型、重要物理量计算、设计等。

(2) 分值安排：简答题占40%，计算题占60%。

参考书目

(1)模拟电路基础;(2)半导体物理学;(3)电磁场理论基础。 (1)北京理工大学出版社;(2)国防工业出版社;(3)北京理工大学出版社。 (1)吴丙申，卞祖富;(2)刘恩科，朱秉升，罗晋生等;(3)陈重，崔正勤。 (1)1997;(2)1994;(3)2003。

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